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  • 型号：3SK296ZQ-TL-E
  • 厂家：RENESAS
  • 批号：05 NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：ZQ
  • 封装：SOT-343/CMPAK-4
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current25mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage-0.5-0.5/0-1V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF amplifier Features •Low noise figure. NF = 2.0 dB typ. at f = 900 MHz •Capable of low voltage operation
描述与应用硅N沟道双栅MOS FET UHF RF放大器 •低噪声系数。 NF= 2.0 dB（典型值）在f =900 MHz的 •能够低电压操作
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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3SK296ZQ-TL-E
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