| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | 6V |
| 栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage | -4V |
| 漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current | 40mA |
| 关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage | -0.2V -- -1.5V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 100mW/0.1W |
| Description & Applications | GaAs N Channel Dual Gate MES FET.
UHF RF Amplifier.
Features:
. Capable of low voltage operation (VDS = 1.5 to 3 V)
. Excellent low noise characteristics (NF = 1.25 dB typ. at f = 900 MHz)
. High power gain (PG = 21.0 dB typ. at f = 900 MHz) |
| 描述与应用 | 砷化镓N沟道双栅MES FET。
UHF射频放大器。
特点：
.能低电压工作（VDS= 1.5到3 V）
.优越的低噪点特性（NF= 1.25 dB（典型值），在f =900兆赫）
.高功率增益（PG=21.0 dB（典型值），在f =900兆赫） |