| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 13.5V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 8V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 30mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | -0.15-1/1.0-1V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 100mW/0.1W |
| Description & Applications | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR RF AMPLIFIER FOR UHF TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD Low noise-figure |
| 描述与应用 | MOS场效应晶体管 UHF调谐器射频放大器 硅N沟道双栅MOS场效应晶体管 4骏超级迷你模具 低的噪音系数 |