首页
购物车0
库存0件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：2SK2973
  • 厂家：MITSUBISHI
  • 批号：05+
  • 整包数量：1000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：K1
  • 封装：SOT-89/SC-62
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage17V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.2-1.8V
耗散功率Pd Power Dissipation1.5W
Description & ApplicationsMITSUBISHI RF POWER MOS FET DESCRIPTION 2SK2973 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF power amplifiers applications. Features MITSUBISHI RF POWER MOS FET High power gain:Gpe³13dB@VDD=9.6V,f=450MHz,Pin=17dBm High efficiency:55% typ Source case type SOT-89 package(connected internally to source)
描述与应用三菱射频功率MOS FET 说明 2SK2973是MOS FET型晶体管专门设计用于 VHF/ UHF功率放大器应用。 特性 三菱射频功率MOS FET 高功率增益：GPE³13分贝@ VDD=9.6V，F =450MHz的，针=17dBm的 高效率：55％（典型值） 源案件类型SOT-89封装（内部连接到源）
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2SK2973
*主题：
详细内容：
*验证码：