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  • 型号：2SK3019
  • 厂家：ROHM
  • 批号：06nopb 05+nopb500
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：KN
  • 封装：SOT-523/SC-75/EMT3
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance5Ω/Ohm @10mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.8-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & Applications2.5V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOSFET Features 2.5V Drive Nch MOS FET Low on-resistance Fast switching speed Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for portable equipment Drive circuits can be simple Parallel use is easy
描述与应用2.5V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOSFET 特性 2.5V驱动N沟道MOS FET 低导通电阻 开关速度快 低电压驱动（2.5V）使该器件理想用于便携式设备 驱动电路可以很简单 并行使用容易
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK3019
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