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  • 型号：2SK208-R
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：JR
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage50v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -50v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current0.3~0.75ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -0.4~-5v
耗散功率PdPower Dissipation100mW/0.1W
Description & Applications•Silicon N-Channel Junction FET High Breakdown Voltage : Vgds = -50V High Input Impedance :Igss = -1.0nA(Max.) (Vgs = -30V ) Low Noise : NF=0.5dB(Typ.) (Rg=100kΩ , f=120Hz) Small Package.
描述与应用•硅N沟道结型场效应管 高击穿电压：Vgds=-50V 高输入阻抗：IGSS=1.0nA（最大）（VGS =-30V） 低噪音：NF=0.5分贝（典型值）        （RG=100KΩ，F =120Hz的） 小包装。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK208-R
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