2SK2091 N沟道结型场效应管 30v 0.4~0.8mA SOT-323 marking/标记 H14 阻抗转换|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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2SK2091 N沟道结型场效应管 30v 0.4~0.8mA SOT-323 marking/标记 H14 阻抗转换

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型号：2SK2091
厂家：SANYO
批号：05+
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：H14
封装：SOT-323/SC70
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最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	30v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage	-30v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current	0.4~0.8ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage	-0.3~-1.5v
耗散功率PdPower Dissipation	150mW/0.15W
Description & Applications	N-Channel Junction Silicon FET •impedance Converter Applications •Low-frequency general-purpose amplifier applications. •Impedance conversion. •Infrared sensor.
描述与应用	•N沟道结硅FET •阻抗转换器应用 •低频通用放大器应用。 •阻抗兑换。 •红外传感器。

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
2SK2099 N沟道MOSFET 250V 6A TO-252/D-PAK marking/标记高速开关/低导通电阻/无二次击穿/低驱动功率/高电压	2SK2099 标记：封装：TO-252/D-PAK	FUJI	批号：05+	0 10起订
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2SK2110 N沟道MOSFET 100V 500mA/0.5A SOT-89 marking/标记 NT 低导通电阻/高开关速度/低寄生电容	2SK2110 标记：NT 封装：SOT-89/SC-62	NEC	批号：05+ 05+NOPB100	1600 10起订

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