2SK1875-V N沟道MOSFET 32mA SOT-323/SC-70/USM marking/标记 RBV 低噪声增益控制放大器电压NV/低频率的阻抗变换/低导通电阻/高速开关/低驱动电流|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

2SK1875-V N沟道MOSFET 32mA SOT-323/SC-70/USM marking/标记 RBV 低噪声增益控制放大器电压NV/低频率的阻抗变换/低导通电阻/高速开关/低驱动电流

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型号：2SK1875-V
厂家：TOSHIBA
批号：05+ROHS 05+ROHS
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：RBV
封装：SOT-323/SC-70/USM
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current	32mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation	100mW/0.1W
Description & Applications	TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON A CHANNEL MOS TYPE Features Silicon N-Channel Junction FET HIGH FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATION AM HIGH FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATION AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATION HIGH Yfs LOW Ciss
描述与应用	东芝场效应晶体管的硅A通道MOS型特性硅N沟道结型场效应管高频放大器的应用 AM高频放大器的应用音频放大器应用高Yfs 低Ciss

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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