2SK1945 N沟道MOSFET 900V 5A TO-252/D-PAK marking/标记 K1945 高速功率/低导通电阻/高速开关/低驱动电流|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

2SK1945 N沟道MOSFET 900V 5A TO-252/D-PAK marking/标记 K1945 高速功率/低导通电阻/高速开关/低驱动电流

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型号：2SK1945
厂家：FUJI
批号：05+
整包数量：1000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：K1945
封装：TO-252/D-PAK
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	900V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	30V
最大漏极电流Id Drain Current	5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	2Ω/Ohm @2.5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	2.5-3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation	80W
Description & Applications	FAP-IIA Series Switching Regulators UPS DC-DC converters General Purpose Power Amplifier Features Silicon N-Channel MOS FET High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Avalanche Proof
描述与应用	FAP-IIA系列开关稳压器 UPS DC-DC转换器通用功率放大器特性硅N沟道MOS FET 高速开关低导通电阻无二次击穿低驱动功率高电压 VGS=±30V保证防雪崩

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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