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2SK1597 N沟道MOSFET SOT-23/SC-59 marking/标记 XL FET作开关/低栅极泄漏电流

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型号：2SK1597
厂家：SANYO
批号：05+
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：XL
封装：SOT-23/SC-59
技术文档：

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation
Description & Applications	N-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING Directly driven by ICs having a 3V power supply Has low gate leakage current,it is suitable for filter circuit
描述与应用	N沟道MOS FET作开关直接被带有3V电源的IC驱动具有低栅极泄漏电流，这是适用于滤波电路

商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
小功率电感 B82496-C3560-J 56nH 0603-56N	B82496-C3560-J 标记：封装：0603-56N	EPCOS	批号：05+	4000 10起订
BC856BM3T5G PNP三极管 -80V -100mA/-0.1A 100MHz 220~475 -300mV/-0.3V sot-723 marking/标记 3B 通用放大器	BC856BM3T5G 标记：3B 封装：sot-723	ON	批号：07+ROHS 07NOPB	0 100起订
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贴片式涤纶电容 MMC10.2683J250LO 0.068uF 2512-683J marking/标记 683J	MMC10.2683J250LO 标记：683J 封装：2512-683J	KEMET	批号：05+	500 10起订
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GTZ7V5-GS08 稳压二极管 7.5V SOD323/0805-7.5V marking/标记 G5 低齐纳阻抗/低泄漏电流	GTZ7V5-GS08 标记：G5 封装：SOD323/0805-7.5V	VISHAY	批号：06NOPB	6000 10起订
RLZTE-118.2c 稳压二极管 0.5W SOD80/LL34-8.2v 电压调节	RLZTE-118.2c 标记：封装：SOD80/LL34-8.2v	rohm	批号：05+ 05+	2500 10起订

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