2SK1589 N沟道MOSFET 100V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 G17 FET作开关/低导通电阻|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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2SK1589 N沟道MOSFET 100V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 G17 FET作开关/低导通电阻

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型号：2SK1589
厂家：NEC
批号：05+ 05+NOPB600
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：G17
封装：SOT-23/SC-59
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	100V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流Id Drain Current	100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	15Ω/Ohm @10mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.8-1.8V
耗散功率Pd Power Dissipation	200mW/0.2W
Description & Applications	N-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING Directly driven by ICs having a 5V power source Not necessary to consider driving current because of its high input impedance Has high voltage and high-speed switching characteristics
描述与应用	N沟道MOS FET的切换直接被带有5V电源的IC驱动不必考虑驱动电流，因为它的高输入阻抗具有高电压和高速开关特性

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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