2SJ325-Z-E1 P沟道MOS场效应管 -60V 4A 0.08ohm SOT-252 marking/标记 J325 高速开关工业用途|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

2SJ325-Z-E1 P沟道MOS场效应管 -60V 4A 0.08ohm SOT-252 marking/标记 J325 高速开关工业用途

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型号：2SJ325-Z-E1
厂家：NEC
批号：05+ 05+
整包数量：2000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：J325
封装：TO-252/DPAK
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最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-60V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流IdDrain Current	-4A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	0.08Ω @-2A,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-1.0--2.0V
耗散功率PdPower Dissipation	20W
Description & Applications	MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE low on-state resistance low Ciss built-in G-S gate protecion diode
描述与应用	MOS场效应功率晶体管开关 P沟道功率MOS FET 工业用途低通-态电阻 Ciss低内置G-S门的法律保护二极管

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
RN4604 NPN+PNP复合带阻尼三极管 -50V/50V -100mA/100mA 80 300mW/0.3W SOT-163/SM6/SOT23-6 标记VD 开关电路逆变器接口电路驱动电路	RN4604 标记：VD 封装：SOT-163/SM6/SOT23-6	TOSHIBA	批号：05+ 05+	144 10起订
XC62KN2102MR LDO电压调整器/稳压电源IC -2.1V 380mV/0.38V 带使能脚EN/CE SOT-23 marking/标记 B5L 短路保护过热保护	XC62KN2102MR 标记：B5L 封装：SOT-23	TOREX	批号：02+ 02+	0 10起订
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EA20QC10F 共阳极肖特基二极管 TO-252 100V 2A 标记20QC10	EA20QC10F-TE16F2 标记：20QC10 封装：TO-252	NIHON	批号：05+	2000 10起订
MSG36D42Z1AL NPN+NPN复合高频三极管 9V 100mA/60mA HEF=100~220 SOT-563 14GHZ / 19GHZ 标记6E 用于开关/数字电路	MSG36D42Z1AL 标记：6E 封装：SOT-563	Panasonic	批号：05+NOPB 04+ROH	5000 100起订
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MSCD104 肖特基二极管 40V 1A 650mV/0.65V 0805 marking/标记 a4 低压降高效率	MSCD104 标记：a4 封装：0805	ZOWIE	批号：05+ 07+	4646 10起订
贴片电容 SMD Ceramic Capacitor CL21B122KBANC 0805 X7R 1.2nF 50V 10%	CL21B122KBANC 0805 X7R 1.2nF 50V 标记：封装：0805	SAMSUNG	批号：14+ROHS	0 100起订

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