2SJ327-Z-E1 P沟道MOS场效应管 -60V 4A 0.21ohm SOT-252 marking/标记 J327 高速开关工业用途|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

2SJ327-Z-E1 P沟道MOS场效应管 -60V 4A 0.21ohm SOT-252 marking/标记 J327 高速开关工业用途

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型号：2SJ327-Z-E1
厂家：NEC
批号：05+ 05+
整包数量：2000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：J327
封装：TO-252/DPAK
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最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-60V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流IdDrain Current	-4A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	0.21Ω @-1.6A,-4V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-1.0--2.0V
耗散功率PdPower Dissipation	20W
Description & Applications	MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE low on-state resistance low Ciss built-in G-S gate protecion diode
描述与应用	MOS场效应功率晶体管开关 P沟道功率MOS FET 工业用途低通-态电阻 Ciss低内置G-S门的法律保护二极管

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
HSMS-2812-tr1g 串联肖特基二极管 20V 35mA 400mV/0.4V SOT-23/SC-59 marking/标记	HSMS-2812-tr1g 标记：B2 封装：SOT-23/SC-59	AGILENT	批号：06+rohs	0 10起订
CZT2907A PNP三极管 -60V -600mA/- 0.6A 200MHz 100~300 -400mV/-0.4V SOT-223 marking/标记 CZT2907 小信号通用开关	CZT2907A 标记：CZT2907 封装：SOT-223	CENTRAL	批号：05+	1700 10起订
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贴片电容 SMD Ceramic Capacitor CL21B121KBANC 0805 X7R 120PF 50V 10%	CL21B121KBANC 0805 X7R 120PF 50V 标记：封装：0805	SAMSUNG	批号：14+ROHS	0 起订
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NSVD2004ML2T1 开关二极管 SOD-123/1206 marking/标记 JRH	NSVD2004ML2T1 标记：JRH 封装：SOD-123/1206	ON	批号：05+ 05+	4200 10起订

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