2SJ163-R P沟道结型场效应管 65 V －2.5~－6.0mA SOT-23 marking/标记 4MR 低导通电阻/低噪声|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

2SJ163-R P沟道结型场效应管 65 V －2.5~－6.0mA SOT-23 marking/标记 4MR 低导通电阻/低噪声

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型号：2SJ163-R
厂家：Panasonic
批号：05+3kNOPB 05+NOPB
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：4MR
封装：SOT-23/SC59
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最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	65 V
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage	65 V
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current	－2.5~－6.0mA
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage	1.5~3.5V
耗散功率PdPower Dissipation	150mW/0.15W
Description & Applications	2SJ163 Silicon P-Channel Junction FET For general switching Complementary to 2SK1103 Features Low ON-resistance Low-noise characteristics
描述与应用	2SJ163 硅P沟道结型场效应管对于一般的切换互补2SK1103 特点低导通电阻低噪声特性

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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