| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
20V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
3A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
290MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
180~390 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
200mV/0.2V |
| 耗散功率PcPower Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
applications Low Frequency Transistor Features * Low VCE(sat). * VCE(sat) = 0.2V (Typ.) (IC / IB = 2A / 0.1A) * Excellent current gain characteristics. * Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
| 描述与应用 |
应用 低频晶体管 特点 *低VCE（SAT）。 * VCE（饱和）=0.2V （IC / IB=2A/0.1A） *优秀的电流增益特性。 *外延平面型硅NPN晶体管 |