2SD2176 达林顿NPN Vcbo=50v Vceo=50v Ic=1.2A HEF=1000~20000，标记/MARK DQR|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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2SD2176 达林顿NPN Vcbo=50v Vceo=50v Ic=1.2A HEF=1000~20000，标记/MARK DQR

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型号：2SD2176
厂家：SANYO
批号：05+
整包数量：1000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：DQR
封装：SOT-89
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集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)	50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)	1.2A
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)	1000~20000
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage	1.0V~1.5V
耗散功率Pc Power Dissipation	1.3W
描述与应用 Description & Applications
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2SD2176 达林顿NPN Vcbo=50v Vceo=50v Ic=1.2A HEF=1000~20000，标记/MARK DQ	2SD2176 标记：DQ 封装：SOT-89	SANYO	批号：05+	1000 10起订
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