| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 10V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 100mA/0.1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 5.2GHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 110~200 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 100mW/0.1W |
| Description & Applications | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF / UHF OSC High-Frequency Amplifier Applications Features · High gain : |S21e|*2 =10.5dB typ (f=1GHz). · High cutoff frequency : fT=5.2GHz typ. · Ultrasmall, slim flat-lead package. (1.4mm×0.8mm×0.6mm) |
| 描述与应用 | NPN平面外延硅晶体管 VHF/ UHF OSC 高频放大器应用 特点 ·高增益：S21E| *2 =10.5分贝典型值（F =1GHz的）。 ·高截止频率：FT =5.2GHz的典型。 ·超小，超薄扁平引线封装。 （1.4毫米×0.8毫米×0.6毫米） |