| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 12V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 6V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 50mA |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 800MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 270~560 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | <300mV/0.3V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | Features •High frequency amplifier transistor,RF switching (6V, 50mA) •Very low output-on resistance (Ron). •Low capacitance. |
| 描述与应用 | 特点 •高频晶体管放大器，RF开关（6V，50毫安） •非常低的输出电阻（Ron） •低电容。 |