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  • 型号：2N7002T
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：07+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：27W
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 30V
最大漏极电流Id Drain Current 300mA/0.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 2.8Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 830mW/0.83W
Description & Applications N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features N-channel TrenchMOS FET Logic level threshold compatible Very fast switching Surface-mounted package TrenchMOS technology
描述与应用 N沟道增强型场效应晶体管 特性 N-沟道FETTrenchMOS 兼容逻辑电平阈 开关速度非常快 表面贴装封装 TrenchMOS技术
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2N7002T
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