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  • 型号：2N7002VA-7
  • 厂家：DIODES
  • 批号：04+ 04+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：KAY
  • 封装：SOT-563
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current280mA/0.28A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance7.5Ω@ VGS = 5V,ID = 50mA
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage1~2.5V
耗散功率PdPower Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Dual N-Channel MOSFET Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package Lead Free By Design/RoHS Compliant
描述与应用双N沟道增强型场效应晶体管 特点 双N沟道MOSFET 低导通电阻？ 低栅极阈值电压 低输入电容？ 开关速度快吗？ 低输入/输出漏？ 超小型表面贴装封装 无铅设计/符合限制有害物质指令（RoHS）规范要求
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2N7002VA-7
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