| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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HIPD650P06NM 1个P沟道 60V 20A 67mΩ@4.5V
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HIPD650P06NM
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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78
起订 |
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IQE065N10NM5SCATMA1 100V 85A 6.5mΩ@10V 100W
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IQE065N10NM5SCATMA1
标记：
封装：WHSON-8
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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78
起订 |
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IXFX90N20Q-JSM 1个N沟道 200V 90A 27mΩ@10V
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IXFX90N20Q-JSM
标记：
封装：TO-247
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JSMSEMI(杰盛微) |
批号：
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78
起订 |
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DN1509N8-G 1个N沟道 90V 300mA 6Ω@0V
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DN1509N8-G
标记：
封装：SOT-89-3
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MICROCHIP(美国微芯) |
批号：
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78
起订 |
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MPF09N90 1个N沟道 900V 9A 900mΩ
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MPF09N90
标记：
封装：TO-220F
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MP(美禄科技) |
批号：
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78
起订 |
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FDD86367 1个N沟道 80V 100A 4.2mΩ@10V
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FDD86367
标记：
封装：TO-252(DPAK)
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onsemi(安森美) |
批号：
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78
起订 |
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RS10N60F 1个N沟道 600V 10A 600mΩ@10V
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RS10N60F
标记：
封装：TO-220F
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REASUNOS(瑞森半导体) |
批号：
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78
起订 |
