IS43LD32640B-25BLI SDRAM LPDDR2 533MHz 1.14V~1.3V -40℃~+85℃|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

IS43LD32640B-25BLI SDRAM LPDDR2 533MHz 1.14V~1.3V -40℃~+85℃

库存10000件1起订

购买数量

商品参数

相关型号

商品参数：

型号：IS43LD32640B-25BLI
厂家：ISSI(美国芯成)
批号：25+
整包数量：
最小起批量：1
标记/丝印/代码/打字：
封装：TFBGA-134(10x11.5)
技术文档：

商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
IS43LR32320B-6BLI	IS43LR32320B-6BLI 标记：封装：LFBGA-90(8x13)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS43TR16256BL-107MBL	IS43TR16256BL-107MBL 标记：封装：TWBGA-96(9x13)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS43LQ32128A-062BLI 1.7V~1.95V -40℃~+95℃	IS43LQ32128A-062BLI 标记：封装：VFBGA-200(10x14.5)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS43TR16256B-107MBLI SDRAM DDR3 933MHz 4Gbit 1.5V	IS43TR16256B-107MBLI 标记：封装：TWBGA-96(9x13)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS43DR82560C-3DBLI	IS43DR82560C-3DBLI 标记：封装：TWBGA-60(8x10.5)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS46TR16256BL-125KBLA2	IS46TR16256BL-125KBLA2 标记：封装：-	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS43LR32640A-6BLI SDRAM DDR 1.7V~1.95V 170mA -40℃~+85℃	IS43LR32640A-6BLI 标记：封装：WBGA-90(8x13)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS43DR82560C-25DBLI	IS43DR82560C-25DBLI 标记：封装：TWBGA-60(8x10.5)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订

在线询价：

* 来自：

寄予：: 深圳市爱瑞凯电子科技有限公司

商品：: IS43LD32640B-25BLI

*主题：

详细内容：

*验证码：