W972GG6KB-25 TR SDRAM DDR2 1.7V~1.9V 80mA 10mA|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

W972GG6KB-25 TR SDRAM DDR2 1.7V~1.9V 80mA 10mA

库存10000件1起订

购买数量

商品参数

相关型号

商品参数：

型号：W972GG6KB-25 TR
厂家：WINBOND(华邦)
批号：25+
整包数量：
最小起批量：1
标记/丝印/代码/打字：
封装：WBGA-84(8x12.5)
技术文档：

商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
W972GG8KS-25 TR	W972GG8KS-25 TR 标记：封装：WBGA-60(8x9.5)	WINBOND(华邦)	批号：25+	10000 起订
W972GG8KS-18 TR	W972GG8KS-18 TR 标记：封装：WBGA-60(8x9.5)	WINBOND(华邦)	批号：25+	10000 起订
IS43DR16128C-3DBL	IS43DR16128C-3DBL 标记：封装：TWBGA-84(8x12.5)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS46LR32160C-6BLA2 SDRAM DDR 166MHz 1.7V~1.95V -40℃~+85℃	IS46LR32160C-6BLA2 标记：封装：TFBGA-90(8x13)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS46LR32160C-6BLA2-TR SDRAM DDR 1.7V~1.95V -40℃~+85℃	IS46LR32160C-6BLA2-TR 标记：封装：TFBGA-90(8x13)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
MT40A256M16LY-062E AAT:F TR	MT40A256M16LY-062E AAT:F TR 标记：封装：FBGA-96(7.5x13.5)	micron(镁光)	批号：25+	10000 起订
IS46DR16128C-3DBLA1-TR	IS46DR16128C-3DBLA1-TR 标记：封装：TWBGA-84(8x12.5)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
MT46H64M32LFBQ-48 IT:C TR	MT46H64M32LFBQ-48 IT:C TR 标记：封装：VFBGA-90(8x13)	micron(镁光)	批号：25+	10000 起订

在线询价：

* 来自：

寄予：: 深圳市爱瑞凯电子科技有限公司

商品：: W972GG6KB-25 TR

*主题：

详细内容：

*验证码：