MT41K512M8DA-107 XIT:P SDRAM DDR3L 1.866GHz 4Gbit 1.283V~1.45V|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

MT41K512M8DA-107 XIT:P SDRAM DDR3L 1.866GHz 4Gbit 1.283V~1.45V

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型号：MT41K512M8DA-107 XIT:P
厂家：micron(镁光)
批号：25+
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封装：FBGA-78(8x10.5)
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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
IS43LD32640B-25BL-TR SDRAM LPDDR2 400MHz 1.14V~1.3V -40℃~+85℃	IS43LD32640B-25BL-TR 标记：封装：TFBGA-134(10x11.5)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS43DR81280C-3DBLI SDRAM DDR2 400MHz 1.7V~1.9V 90mA	IS43DR81280C-3DBLI 标记：封装：TWBGA-60(8x10.5)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS43LR32800G-6BLI SDRAM DDR 1.7V~1.95V 70mA -40℃~+85℃	IS43LR32800G-6BLI 标记：封装：TFBGA-90(8x13)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS43LD16640C-18BLI-TR SDRAM LPDDR2 533MHz 1.14V~1.3V -40℃~+85℃	IS43LD16640C-18BLI-TR 标记：封装：TFBGA-134(10x11.5)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS43LD16128B-18BLI SDRAM LPDDR2 533MHz 1.7V~1.95V -40℃~+85℃	IS43LD16128B-18BLI 标记：封装：TFBGA-134(10x11.5)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS46TR16128CL-15HBLA1	IS46TR16128CL-15HBLA1 标记：封装：TWBGA-96(9x13)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS43LR16640A-5BL-TR	IS43LR16640A-5BL-TR 标记：封装：TWBGA-60(8x10)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS46TR16128C-125KBLA1	IS46TR16128C-125KBLA1 标记：封装：TWBGA-96(9x13)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订

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