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MT53E256M32D2DS-046 IT:B

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型号：MT53E256M32D2DS-046 IT:B
厂家：micron(镁光)
批号：25+
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封装：WFBGA-200
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MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B TR	MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B TR 标记：封装：TFBGA-200(10x14.5)	micron(镁光)	批号：25+	10000 起订
MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B TR	MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B TR 标记：封装：TFBGA-200(10x14.5)	micron(镁光)	批号：25+	10000 起订
MT41K256M16HA-125IT:E	MT41K256M16HA-125IT:E 标记：封装：BGA	micron(镁光)	批号：25+	10000 起订
MTA36ASF4G72PZ-3G2E7	MTA36ASF4G72PZ-3G2E7 标记：封装：TFBGA	micron(镁光)	批号：25+	10000 起订
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AS4C128M16D3LB-12BIN	AS4C128M16D3LB-12BIN 标记：封装：FBGA-96(8x13)	Alliance Memory	批号：25+	10000 起订

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