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商品描述
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供应商型号
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厂牌
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说明
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库存
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H9HCNNNBKMMLHR-NME
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H9HCNNNBKMMLHR-NME
标记：
封装：-
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HYNIX(海力士)
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批号：25+
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10000
起订
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MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR
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MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR
标记：
封装：TFBGA-200
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micron(镁光)
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批号：25+
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10000
起订
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IS43TR16128DL-107MBLI
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IS43TR16128DL-107MBLI
标记：
封装：TFBGA-96
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ISSI(美国芯成)
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批号：25+
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10000
起订
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MT47H64M8SH-25E:H
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MT47H64M8SH-25E:H
标记：
封装：FBGA-60
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micron(镁光)
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批号：25+
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10000
起订
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H5AN8G6NAFR-VKC SDRAM DDR4 1.14V~1.26V 0℃~+85℃
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H5AN8G6NAFR-VKC
标记：
封装：FBGA-96
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HYNIX(海力士)
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批号：25+
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10000
起订
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K4A4G165WF-BCWE
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K4A4G165WF-BCWE
标记：
封装：FBGA-96
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SAMSUNG(三星半导体)
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批号：25+
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10000
起订
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IS43LR16800G-6BLI
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IS43LR16800G-6BLI
标记：
封装：TFBGA-60(8x10)
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ISSI(美国芯成)
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批号：25+
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10000
起订
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IS43DR16640C-3DBLI SDRAM DDR2 400MHz 1.7V~1.9V 90mA
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IS43DR16640C-3DBLI
标记：
封装：TWBGA-84(8x12.5)
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ISSI(美国芯成)
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批号：25+
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10000
起订
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