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  • 型号：PH3230S
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：0
  • 最小起批量：1
  • 标记/丝印/代码/打字：3230S
  • 封装：SOT-669
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 100A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance VGS = 10 V; ID = 25 A RDS= 2.7~3.2 mΩ
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1~3V
耗散功率Pd Power Dissipation 62.5W
Description & Applications  
描述与应用
　n沟道增强型场效应功率晶体管
　　逻辑电平兼容
　　■低闸极电荷
　　■高密度安装
　　■开态电阻非常低。
 
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
PH3230S
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