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  • 型号：DMN55DOUT-7
  • 厂家：DIODES
  • 批号：11+ROHS 11+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：NAC
  • 封装：SOT-523
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 160MA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
VGS = 4V, ID = 100mA RDS=3.1~4Ω
VGS = 2.5V, ID = 80mA RDS=4~5Ω
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.7~1v
耗散功率Pd Power Dissipation 0.2w
Description & Applications
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 
 
Low On-Resistance 
• Very Low Gate Threshold Voltage 
• Low Input Capacitance 
• ESD Protected Gate to 2kV 
 
描述与应用
　n沟道增强型场效应晶体管
　　低导通电阻
　　门阈值电压非常低
　　低输入电容
　　ESD保护门2千伏
 
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
DMN55DOUT-7
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