| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
±20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current |
200mA/0.2A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
3.3Ω ID=100 mA,VGS=4.5V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
1.5~3.1V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSⅣ) . * High-Speed Switching Applications . * Analog Switch Applications. * Small package . * Low ON-resistance : RDS(ON) = 3.3 Ω (max) (@VGS = 4.5 V) . : RDS(ON) = 2.6 Ω (max) (@VGS = 5 V) . : RDS(ON) = 2.1 Ω (max) (@VGS = 10 V) . |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型（U-MOSⅣ）。 *高速开关应用。 *模拟开关应用。 *小型封装。 *低导通电阻RDS（ON）= 3.3Ω（最大）（@ VGS=4.5 V）。 RDS（ON）=2.6Ω（最大值）（@ VGS= 5 V）。 RDS（ON）=2.1Ω（最大值）（@ VGS=10 V）。 |