| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
500V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
400V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
2A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
8~20 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
1V |
| 耗散功率PcPower Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
NPN Silicon Triple Diffused. *Features. *Excellent Switching Times. *tr=1.0us (Max.) tf=1.0us (Max.) at IC=0.8A. *High colletor Breakdown Voltage: VCEO=400V. |
| 描述与应用 |
NPN硅三重扩散。 *特点。 *出色的开关时间。 * TR =1.0us（最大）TF =1.0us（最大）在IC=0.8A。 *的高colletor击穿电压：VCEO= 400V。 |