| 反向电压VrReverse Voltage |
80v |
| 平均整流电流IoAverage Rectified Current |
100mA/0.1A |
| 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) |
1.2v |
| 反向恢复时间TrrReverse Recovery Time |
1.6ns |
| 最大耗散功率PdPower Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type. Ultra High Speed Switching Application. Small package. Low forward voltage: VF (3) = 0.98 V (typ.). Fast reverse recovery time: trr = 1.6 ns (typ.). Small total capacitance: CT = 0.5 pF (typ.). |
| 描述与应用 |
东芝二极管硅外延平面型。 超高速开关应用。 小包装。 低正向电压VF（3）=0.98 V（典型值）。 快速反向恢复时间：trr =1.6ns（典型值）。 小总电容：CT=0.5 PF（典型值）。 |