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  • 型号：2SD1781KPT
  • 厂家：CHENMKO
  • 批号：05+ 05+PB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：D9C
  • 封装：SOT-23
  • 技术文档：下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) 40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) 32V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) 800mA/0.8A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 150MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) 82~180
管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage 100mV/0.1V
耗散功率PcPower Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications Features * Very Low VCE(sat). VCE(sat) = −0.1V(Typ.) （IC / IB= 500ｍA / 50mA） * High current capacity in compact package. * Complements the 2SB1197K. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor
描述与应用 特点 *非常低VCE（SAT）。 VCE（饱和）=-0.1V （IC / IB=500mA的/50MA） *高电流容量，在紧凑的封装。 *补充2SB1197K。 结构 外延平面型 NPN硅晶体管
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SD1781KPT
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