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  • 型号：SSM6P15FE
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：11+ROHS 11+ROHS
  • 整包数量：4000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：DQ
  • 封装：SOT-563/ES6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-100mA/-0.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance12Ω@ VGS = -4V, ID = -10mA
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1.1~-1.7V
耗散功率PdPower Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type ●High Speed Switching Applications ●Analog Switch Applications ● Small package ● Low ON resistance : Ron = 12 Ω (max) (@VGS = −4 V) : Ron = 32 Ω (max) (@VGS = −2.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型 ●高速开关应用 ●模拟开关应用 ●小型封装 ●低导通电阻RON =12Ω（最大）（@ VGS=-4 V）    RON=32Ω（最大）（@ VGS=-2.5 V）
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SSM6P15FE
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