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  • 型号：2N7002-T1
  • 厂家：SILICONIX
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：72
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current115mA/0.115A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance7.5Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsN-Channel 60-V (D-S) MOSFET Features N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Low On-Resistance: 2.5 ohm Low Threshold: 2.1 V Low Input Capacitance: 22 pF Fast Switching Speed: 7 ns Low Input and Output Leakage
描述与应用N沟道60-V（D-S）的MOSFET 特性 N沟道60-V（D-S）的MOSFET 低导通电阻2.5欧姆 低阈值：2.1 V 低输入电容：22 pF 开关速度快：7 NS 低输入和输出泄漏
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2N7002-T1
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