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  • 型号：SI1905BDH-T1-E3
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：10+ROHS 10NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：DJX
  • 封装：SOT-363/SC70-6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-8V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage-8V
最大漏极电流IdDrain Current-630mA/-0.63A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance1.2Ω@ VGS = -1.8V, ID = -200mA
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.45~-1V
耗散功率PdPower Dissipation357mW/0.375W
Description & ApplicationsDual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET FEATURES • Trench FET Power MOSFET APPLICATIONS • Load Switch for Portable Devices
描述与应用双P沟道1.8-V（G-S）的MOSFET 特点  •沟槽FET功率MOSFET 应用  •用于便携式设备的负载开关
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SI1905BDH-T1-E3
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