2SK3272-01S-TE24R N沟道MOSFET 60V 8A TO-263 marking/标记 SK3272 低导通电阻/高速度开关/无二次击穿/低驱动功率|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

请先登录

2SK3272-01S-TE24R N沟道MOSFET 60V 8A TO-263 marking/标记 SK3272 低导通电阻/高速度开关/无二次击穿/低驱动功率

库存810件10起订

购买数量

商品参数

相关型号

商品参数：

型号：2SK3272-01S-TE24R
厂家：FUJI
批号：04+
整包数量：1000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：SK3272
封装：TO-263
技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	30V/-20V
最大漏极电流Id Drain Current	8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.005Ω/Ohm @40A,40V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	2.5-3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation	135W
Description & Applications	Trench Gate MOSFET Motor Control General Purpose Power Amplifier DC-DC converters Features Trench Gate MOSFET High Current Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power Avalanche Rated
描述与应用	沟槽栅MOSFET 电机控制通用功率放大器 DC-DC转换器特性沟槽栅MOSFET 高电流低导通电阻无二次击穿低驱动功率雪崩额定

规格书PDF

下载

商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
FYV0203DNMTF 共阴极肖特基二极管 30V 200mA/0.2A 1V SOT-23/SC-59 marking/标记 YB2	FYV0203DNMTF 标记：YB2 封装：SOT-23/SC-59	FAIRCHILD	批号：05+	0 10起订
2SC3398 NPN三极管 50V 100mA/0.1A 200MHz 50 300mV/0.3V SOT-23/SC-59 marking/标记 EY 开关电路逆变电路接口电路驱动电路	2SC3398 标记：EY 封装：SOT-23/SC-59	SANYO	批号：04+ 05+	420 10起订
SMCJ58CA-E3 瞬态抑制二极管TVS/ESD 58V 16.0A DO-214AB/SMC-58V 标记ggg	SMCJ58CA-E3 标记：ggg 封装：DO-214AB/SMC-58V	VISHAY	批号：06nopb 08NOPB	950 10起订
全新原装TSC2007IPWRTSSOP-164线微触摸屏控制器芯片	TSC2007IPWR 标记：封装：TSSOP-16	TI(德州仪器)	批号：2025	3000 起订
磁珠 L201209E300 805	L1201209E300 标记：封装：805	jat	批号：05+ 05+	4000 10起订
S-80744AN 电压检测器电源IC 4.4V SOT-89 marking/标记 D8 高精度检测电压,超低电流消耗	S-80744AN 标记：D8 封装：SOT-89	SEIKO	批号：05+	900 10起订
SG7050CBN X1G0044910 crystal oscillator SPXO 振荡器 7050 3.3V 16.384MHZ	SG7050CBN 16.384MHZ X1G0044910 标记：封装：7050-16.384MHZ	爱瑞凯	批号：22+	3000 起订
可调电阻 EVM1ESX30BQ2 470Ω/Ohm 4X4-470R marking/标记 Q2	EVM1ESX30BQ2 标记：Q2 封装：4X4-470R	Panasonic	批号：06+ 06NOPB	1000 10起订

在线询价：

* 来自：

寄予：: 深圳市爱瑞凯电子科技有限公司

商品：: 2SK3272-01S-TE24R

*主题：

详细内容：

*验证码：