BAS40-05W 共阴极肖特基二极管 40V 120mA/0.12A 1V SOT-323/SC-70 marking/标记 65t 低压降|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

BAS40-05W 共阴极肖特基二极管 40V 120mA/0.12A 1V SOT-323/SC-70 marking/标记 65t 低压降

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型号：BAS40-05W
厂家：NXP/PHILIPS
批号：10+ROHS
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：65t
封装：SOT-323/SC-70
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反向电压VrReverse Voltage	40V
平均整流电流IoAVerage Rectified Current	120mA/0.12A
最大正向压降VFForward Voltage(Vf)	1V
最大耗散功率PdPower dissipation	250MW/0.25W
Description & Applications	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE · Low forward voltage. · Guard ring protected. · Small plastic SMD package. · Low diode capacitance. · Ultra high-speed switching. · Voltage clamping. · Protection circuits. ·Common Cathode Schottky barrier diode.
描述与应用	表面贴装肖特基二极管 ·低正向电压。 ·保护环保护。 ·小型塑料SMD包装。 ·低电容二极管。 ·超高速开关。 ·电压钳位。 ·保护电路。 ·共阴极肖特基势垒二极管。

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
INK0001AC1 N沟道MOSFET 50V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 K1 极低的RDS/低栅极电荷	INK0001AC1 标记：K1 封装：SOT-23/SC-59	MITSUBISHI	批号：09NOPB 08+NOPB	15400 10起订
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