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  • 型号：PMBF4393
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：11+ROHS 11+NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：W6G
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage40v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -40v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current5~30ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -0.5~-3v
耗散功率PdPower Dissipation250mW/0.25W
Description & Applications•N-channel DESCRIPTION Symmetrical silicon n-channel depletion type junction field-effect transistors on a plastic microminiature envelope intended for application in thick and thin-film circuits. The transistors are intended for low-power chopper or switching applications in industry.
描述与应用•N沟道 说明 对称硅n沟道 耗尽型结型场效应 塑料超小型晶体管 信封用于应用 厚薄膜电路。该 晶体管用于低功耗 斩波器或开关应用 业。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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PMBF4393
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