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  • 型号：TBB1012MMTL-E
  • 厂家：RENESAS
  • 批号：11+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：MM
  • 封装：SOT-363/SC70-6/CMPAK-6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage6V/6V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage6V/6V
最大漏极电流IdDrain Current20mA/21mA
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State ResistancemΩ@ VGS = -V, ID = -mA
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold VoltageV
耗散功率PdPower Dissipation250mW/0.25W
Description & ApplicationsTwin Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF/VHF RF Amplifier Features • Small SMD package CMPAK-6 built in twin BBFET; To reduce using parts cost & PC board space. • Very useful for total tuner cost reduction. • Suitable for World Standard Tuner RF amplifier. • High gain • Low noise • Low output capacitance • Power supply voltage: 5 V
描述与应用双床内置偏置电路MOS FET的IC UHF/ VHF射频放大器 特点 •小SMD封装CMPAK-6内置双BBFET;要降低零部件的成本与PC板空间。 •总的调谐器成本降低非常有用的。 •适用于世界标准调谐器RF放大器。 •高增益 •低噪音 •低输出电容 •电源电压：5 V
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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TBB1012MMTL-E
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