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  • 型号：BFT46
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：M3W
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage25v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -25v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current0.2~1.5ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage
耗散功率PdPower Dissipation250mW/0.25W
Description & Applications•N-channel silicon field-effect transistors DESCRIPTION Symmetrical n-channel silicon epitaxial planar junction field-effect transistor in a microminiature plastic envelope. The transistor is intended for low level general purpose amplifiers in thick and thin-film circuits.
描述与应用•N沟道硅场效应晶体管说明 对称n沟道硅 外延结型场效应 晶体管在一个超小型的塑料 信封。晶体管的目的 低级别通用 放大器厚薄膜 电路。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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BFT46
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