2N7002K N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 K72 逻辑电平兼容/高速开关|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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2N7002K N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 K72 逻辑电平兼容/高速开关

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型号：2N7002K T/R
厂家：PANJIT
批号：08NOPB
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：K72
封装：SOT-23/SC-59
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流Id Drain Current	300mA/0.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	3Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation	350mW/0.35W
Description & Applications	TrenchMOS™ logic level FET Description N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology Features TrenchMOS™ logic level FET Logic level compatible Very fast switching Subminiature surface mount package Gate-source ESD protection diodes
描述与应用	renchMOS™逻辑电平FET 描述 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用的TrenchMOS™技术特性 TrenchMOS™逻辑电平FET 逻辑电平兼容开关速度非常快超小型表面贴装封装栅源ESD保护二极管

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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