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  • 型号：SI4800BDY-T1-E3
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：10+ROHS 10+ROHS
  • 整包数量：2500
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：4800B
  • 封装：8-SOIC
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30v
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 25v
最大漏极电流Id Drain Current 9A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.0185Ω/Ohm @9A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.8-1.8V
耗散功率Pd Power Dissipation 2.5W
Description & Applications N-Channel Reduced Qg Fast Switching MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET Power MOSFET • High-Efficient PWM Optimized • 100 % UIS and Rg Tested
描述与应用 N沟道减少QG 快速开关MOSFET •根据IEC 61249-2-21的无卤素可用的 •的TrenchFET 功率MOSFET •高效率的PWM优化 •100％的研究所和Rg测试
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SI4800BDY-T1-E3
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