| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 35V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 30V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 800mA/0.8A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 120MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 100~200 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | <500mV/0.5V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | NPN SILICON TRANSISTOR Description • Audio power amplifier application Features • High hFE : hFE=100~320 |
| 描述与应用 | NPN硅晶体管 描述 •音频功率放大器中的应用 特点 •高HFE：HFE=100〜320 |