SI3456CDV-T1-GE3 N沟道MOSFET 30V 7.7A SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 marking/标记 AP 低导通电阻/低电压驱动|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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SI3456CDV-T1-GE3 N沟道MOSFET 30V 7.7A SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 marking/标记 AP 低导通电阻/低电压驱动

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型号：SI3456CDV-T1-GE3
厂家：VISHAY
批号：10+ROHS
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：AP
封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流Id Drain Current	7.7A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.034Ω/Ohm @6.1A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	1.2-3V
耗散功率Pd Power Dissipation	3.3W
Description & Applications	N沟道30-V（D-S）的MOSFET FEATURES • TrenchFET Power MOSFET
描述与应用	N沟道30-V（D-S）的MOSFET 功率MOSFET

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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