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  • 型号：MTM6841109SO
  • 厂家：Panasonic
  • 批号：09NOPB 09+NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：1d
  • 封装：1206-8/vs-8/SOT23-8
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-12V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage-8V
最大漏极电流IdDrain Current-4.8A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance60mΩ@ VGS = -1.8V, ID = -200mA
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.3~-1V
耗散功率PdPower Dissipation1W
Description & ApplicationsFor load switch circuits For switching circuits Feature Dual P-channel MOS FET in one package Low drive voltage:1.8V drive
描述与应用对于负载开关电路 对于开关电路 特点 双P沟道MOS场效应管在一个封装中 低驱动电压：1.8V驱动
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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MTM6841109SO
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