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  • 型号：PMN38EN
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：10+ROHS 10NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：38
  • 封装：SOT-163/TSOP-6/SC-74
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current5.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation1.75W
Description & ApplicationsN-channel TrenchMOS logic level FET General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. Logic level threshold Very fast switching Low threshold voltage Surface-mounted package
描述与应用TrenchMOS逻辑电平N沟道FET 一般说明 逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）在一个塑料 包装使用TrenchMOS技术 逻辑电平阈值 开关速度非常快 低阈值电压 表面贴装封装
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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PMN38EN
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