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  • 型号：SSM6N16FE
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：09+20knopb 10+ROHS136K
  • 整包数量：4000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：DS
  • 封装：SOT-563/ES6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流IdDrain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance3Ω@ VGS = 4V, ID = 10mA
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage0.6~1.1V
耗散功率PdPower Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ●High Speed Switching Applications ●Analog Switching Applications ●Suitable for high-density mounting due to compact package ●Low on resistance: Ron = 3.0 Ω (max) (@VGS = 4 V) : Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) : Ron = 15 Ω (max) (@VGS = 1.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 ●高速开关应用 ●模拟开关应用 ●适用于高密度安装由于紧凑的封装 ●低导通电阻RON =3.0Ω（最大值）（@ VGS=4 V） RON =4.0Ω（最大值）（@ VGS= 2.5 V） ：RON=15Ω（最大）（@ VGS=1.5 V）
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SSM6N16FE
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