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  • 型号：74LVC1G10GW
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：0930NOPB 09NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：YM
  • 封装：SOT-363/TSSOP6/SC88
  • 技术文档：下载

逻辑类型Logic Type与非门 NAND Gate
电路数Number of Circuits1
输入数Number of Inputs3
电源电压VccVoltage - Supply1.65V~5.5V
静态电流IqCurrent - Quiescent (Max)200uA
输出高，低电平电流Current - Output High, Low-32mA，32mA
低逻辑电平Logic Level - Low0.7V~0.8V
高逻辑电平Logic Level - High1.7V~2V
传播延迟时间@Vcc，CLMax Propagation Delay @ V, Max CL1.9ns @ 5V，50pF
Description & ApplicationsSingle 3-input NAND gate；FEATURES Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V High noise immunity Complies with JEDEC standard: JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V) JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V) JESD8-B/JESD36 (2.7 V to 3.6 V) ±24 mA output drive (VCC = 3.0 V) CMOS low power consumption Latch-up performance ≤250 mA Direct interface with TTL levels Inputs accept voltages up to 5 V ESD protection: HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V MM JESD22-A115-A exceeds 200 V Multiple package options Specified from −40 °C to +85 °C and −40 °C to +125 °C
描述与应用单3输入与非门；特性 从1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围 高抗干扰 符合JEDEC标准： JESD8-7（1.65 V至1.95 V） JESD8-5（2.3 V到2.7 V） JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V） ±24 mA输出驱动器（VCC=3.0 V） CMOS低功耗 闭锁性能≤250毫安 直接接口TTL水平 接受输入电压高达5 V ESD保护： HBM JESD22-A114F超过2000 V MM JESD22-A115-A超过200 V 多种封装选项 从-40°C至+85°C和-40°C至+125°C
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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74LVC1G10GW
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