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  • 型号：SI1300BDL
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：10NOPB 10NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：REZ
  • 封装：SOT-323/SC-70
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current400mA/0.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.4-1.0V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsN-Channel 20-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested
描述与应用N沟道20-V（D-S）的MOSFET TrenchFET？功率MOSFET 100％的Rg测试
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SI1300BDL
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