请先登录
首页
购物车0
库存250000件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：2SK3857TK-B
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：0637+ROHS 08NOPB
  • 整包数量：5000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：9B
  • 封装：SOT-623/TESM3
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -20v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current0.14~0.35ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -0.1~-1v
耗散功率PdPower Dissipation100mW/0.1W
Description & Applications•Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type Application for Ultra-compact ECM
描述与应用•场效应晶体管的硅N沟道结型 超紧凑ECM应用
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2SK3857TK-B
*主题：
详细内容：
*验证码：